Транзистор SGT40N60NPFDPN IGBT, 600V 40A, TO3P
- В наявності 7 од.
- Оптом і в роздріб
- Код: 08542
60,10 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор SGT40N60NPFDPN IGBT, 600V 40A, TO3PВ наявності 7 од.
60,10 ₴
+380 (63) 947-34-31
- +380 (99) 367-52-10
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор SGT40N60NPFDPN IGBT, 600V 40A, TO3P
Транзистор SGT40N60NPFDPN типу IGBT призначений для роботи у високовольтних та силових імпульсних схемах. Поєднує переваги MOSFET і біполярного транзистора, забезпечуючи високу швидкодію, ефективне керування та роботу з великими струмами. Підходить для використання у зварювальних апаратах, інверторах, джерелах живлення, UPS та промисловій електроніці. Корпус TO3P забезпечує ефективне тепловідведення.
Характеристики:
| Параметри | Значення |
|---|---|
| Модель | SGT40N60NPFDPN |
| Тип | IGBT транзистор |
| Максимальна напруга колектор-емітер (VCES) | 600 В |
| Максимальний струм колектора (IC) | 40 А |
| Напруга керування затвором | ±20 В |
| Потужність розсіювання | до 200 Вт |
| Час перемикання | високошвидкісний |
| Корпус | TO3P |
| Тип монтажу | THT / вивідний |
| Робоча температура | -55 °C … +150 °C |
Сфера застосування:
• Зварювальні апарати
• Інвертори та UPS
• Імпульсні блоки живлення
• DC-AC перетворювачі
• Промислова автоматика
• Силова електроніка
• Керування електродвигунами
• Ремонт електронної техніки та DIY проєкти
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 80 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 290 Вт |
Інформація для замовлення
- Ціна: 60,10 ₴