Опис
Транзистор HYG032N08NS1P — потужний польовий MOSFET N-канального типу в корпусі TO-220, призначений для роботи у високострумових силових схемах. Працює з напругою до 80 В і струмом до 180 А, має низький опір відкритого каналу, що забезпечує високу ефективність та мінімальні втрати. Підходить для застосування в перетворювачах напруги, силових ключах та системах керування живленням.
Характеристики
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET транзистор |
| Канал | N-канальний |
| Модель | HYG032N08NS1P |
| Максимальна напруга стік-витік | 80 В |
| Максимальний струм стоку | 180 А |
| Імпульсний струм стоку | до 650 А |
| Опір каналу (Rds(on)) | ~0.003 Ом |
| Максимальна потужність розсіювання | 220 Вт |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Порогова напруга затвора | 2–4 В |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажу | вивідний |
| Кількість виводів | 3 |
Сфера застосування
Застосовується в BMS-системах, потужних DC-DC перетворювачах, інверторах, джерелах живлення, схемах керування двигунами, автомобільній електроніці та інших високострумових пристроях.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
Інформація для замовлення
- Ціна: 44 ₴


