Опис:
Транзистор FQPF2N60C — польовий N-канальний MOSFET, призначений для роботи у високовольтних імпульсних схемах. Виготовлений за DMOS-технологією, що забезпечує стабільну роботу, високу швидкість перемикання та ефективність. Корпус TO-220F з ізоляцією дозволяє монтаж без додаткових ізоляційних прокладок.
Характеристики:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET транзистор |
| Канал | N-канальний |
| Модель | FQPF2N60C |
| Корпус | TO-220F |
| Максимальна напруга стік-стік (Vds) | 600 В |
| Максимальний струм стоку (Id) | 2 А |
| Імпульсний струм | до 8 А |
| Потужність розсіювання | до 23 Вт |
| Напруга затвор-стік (Vgs) | ±30 В |
| Опір каналу Rds(on) | ~3.6–4.7 Ом |
| Тип монтажу | вивідний (THT) |
| Робоча температура | до +150 °C |
Сфера застосування:
Використовується в імпульсних блоках живлення, схемах корекції коефіцієнта потужності (PFC), електронних баластах, інверторах, драйверах та інших високовольтних електронних пристроях.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
Інформація для замовлення
- Ціна: 14,50 ₴


