Транзистор IRFB20N50K польовий N-канальний, 500V 20A, TO220
- Немає в наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: 08695
220 ₴
Показати оптові ціниТранзистор IRFB20N50K польовий N-канальний, 500V 20A, TO-220
Транзистор IRFB20N50K — це потужний силовий польовий MOSFET з N-каналом, призначений для роботи у високовольтних і високоточних схемах. Він розрахований на максимальну напругу до 500 В и ток до 20 А, що робить його оптимальним для керування навантаженнями в джерелах живлення, інверторах і промисловій електроніці.
Завдяки низькому опору відкритого каналу (Rds(on) ≈ 0,06 Ом) транзистор забезпечує мінімальні втрати потужності та високий ККД роботи у разі великих навантажень. Корпус TO-220 дає змогу надійно закріпити компонент на радіаторі для ефективного тепловідведення.
Технічні характеристики
| Параметри | Значення |
|---|---|
| Тип транзизора | MOSFET |
| Канал | N-канальний |
| Максимальна напруга стік-висток (Vds) | 500 В |
| Максимальний струм стоку (Id) | 20 А |
| Максимальна розсіювана потужність | до 150 Вт |
| Напруга затвора-висток (Vgs) | ±20 В |
| Опір відкритого каналу (Rds (on)) | ~0,06 Ом |
| Тип корпусу | TO-220 |
| Робоча температура | −55…+150 °C |
Сфера застосування
-
високовольтні джерела живлення й інвертори
-
силові ключі та комутаційні вузли
-
керування електродвигунами та серводвигунами
-
промислова електроніка
-
побутова електроніка з високими навантаженнями
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STM |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
- Ціна: 220 ₴