Транзистор IRF830 польовий N-канальний, 500V 4.5A, TO-220
Транзистор IRF830 — це силовий польовий MOSFET з N-каналом, призначений для роботи у високовольтних і середньотокових схемах. Він розрахований на максимальну напругу до 500 В и ток до 4,5 А, що робить його оптимальним для використання в джерелах живлення, інверторах, драйверах і промисловій електроніці.
Завдяки низькому опору відкритого каналу (Rds(on) ≈ 1,2 Ом) транзистор забезпечує ефективне керування навантаженням із мінімальними втратами потужності. Корпус TO-220 дає змогу надійно закріпити компонент на радіаторі для ефективного тепловідведення.
Технічні характеристики
| Параметри | Значення |
|---|---|
| Тип транзизора | MOSFET |
| Канал | N-канальний |
| Максимальна напруга стік-висток (Vds) | 500 В |
| Максимальний струм стоку (Id) | 4,5 А |
| Максимальна розсіювана потужність | до 75 Вт |
| Напруга затвора-висток (Vgs) | ±20 В |
| Опір відкритого каналу (Rds (on)) | ~1,2 Ом |
| Тип корпусу | TO-220 |
| Робоча температура | −55…+150 °C |
Сфера застосування
-
високовольтні джерела живлення й інвертори
-
силові ключі та комутаційні вузли
-
керування електродвигунами малої та середньої потужності
-
промислова електроніка
-
побутова електроніка та драйвери
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
Інформація для замовлення
- Ціна: 19,20 ₴



