Транзистор FDD7N60NZ польовий N-канальний, 600V 7.4A, DPAK
- Немає в наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: 08644
44,90 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор FDD7N60NZ польовий N-канальний, 600V 7.4A, DPAK
Транзистор FDD7N60NZ — це високовольтний силовий MOSFET з N-каналомпризначений для роботи в схемах середньої потужності. Він розрахований на максимальну напругу 600 В и ток до 7,4 А, що робить його оптимальним для застосування в імпульсних джерелах живлення, інверторах, драйверах і промисловій електроніці.
Завдяки низькому опору відкритого каналу (Rds(on) ≈ 0,75 Ом) транзистор забезпечує ефективне керування навантаженням із мінімальними втратами енергії. Корпус DPAK дає змогу компактно монтувати компонент на платі з можливістю гарного тепловідведення.
Технічні характеристики
| Параметри | Значення |
|---|---|
| Тип транзизора | MOSFET |
| Канал | N-канальний |
| Максимальна напруга стік-висток (Vds) | 600 В |
| Максимальний струм стоку (Id) | 7,4 А |
| Максимальна розсіювана потужність | до 75 Вт |
| Напруга затвора-висток (Vgs) | ±20 В |
| Опір відкритого каналу (Rds (on)) | ~0,75 Ом |
| Тип корпусу | DPAK |
| Робоча температура | −55…+150 °C |
Сфера застосування
-
імпульсні джерела живлення (SMPS)
-
інвертори та перетворювачі високої частоти
-
силові ключі та керування навантаженнями
-
промислова електроніка
-
побутова електроніка та драйвери
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
- Ціна: 44,90 ₴