Транзистор IKW30N60T IGBT, 600V 30A, TO247
- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: 08538
138,20 ₴
134 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор IKW30N60T — це потужний IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), призначений для роботи у високовольтних та силових електронних пристроях. Він поєднує переваги MOSFET (високий вхідний опір) і біполярного транзистора (малі втрати провідності), забезпечуючи високу ефективність роботи.
Модель IKW30N60T розрахована на напругу до 600 В та струм до 30 А, виконана у корпусі TO-247, що забезпечує зручний монтаж і ефективне відведення тепла. Транзистор широко застосовується в інверторах, імпульсних блоках живлення, зварювальних апаратах та системах керування електродвигунами.
Компонент відповідає вимогам промислової надійності та підходить для потужних схем із високою частотою перемикання.
🔹 Технічні характеристики (datasheet)
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип транзистора | IGBT |
| Модель | IKW30N60T |
| Максимальна напруга колектор-емітер (VCES) | 600 В |
| Максимальний струм колектора (IC) | 30 А |
| Імпульсний струм колектора | до 60 А |
| Напруга затвор-емітер (VGE) | ±20 В |
| Розсіювана потужність (Ptot) | до 125 Вт |
| Тип корпусу | TO-247 |
| Тип монтажу | Вивідний (THT) |
| Робоча температура | −40…+150 °C |
| Виробник | Infineon Technologies |
🔹 Сфера застосування
-
інвертори напруги
-
імпульсні джерела живлення
-
зварювальні апарати
-
частотні перетворювачі
-
системи керування електродвигунами
-
силова промислова електроніка
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Країна виробник | Китай |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Транзисторний модуль |
- Ціна: 134 ₴