Описание
Транзистор HYG032N08NS1P – мощный полевой MOSFET N-канального типа в корпусе TO-220, предназначенный для работы в высокоточных силовых схемах. Работает с напряжением до 80 В и током до 180 А, имеет низкое сопротивление открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери. Подходит для применения в преобразователях напряжения, силовых ключах и системах управления питанием.
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | MOSFET транзистор |
| Канал | N-канальный |
| Модель | HYG032N08NS1P |
| Максимальное напряжение стик-вилка | 80 В |
| Максимальный ток стока | 180А |
| Импульсный ток стока | до 650 А |
| Сопротивление канала (Rds(on)) | ~0.003 Ом |
| Максимальная мощность рассеивания | 220 Вт |
| Напряжение затвор-вилка | ±20 В |
| Порогова напруга затвора | 2–4 В |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажу | выводной |
| Количество выводов | 3 |
Область применения
Применяется в BMS-системах, мощных DC-DC преобразователях, инверторах, источниках питания, схемах управления двигателями, автомобильной электронике и других высокоструйных устройствах.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 44 ₴


