Описание:
Транзистор FQPF2N60C — полевой N-канальный MOSFET, предназначенный для работы в высоковольтных импульсных схемах. Изготовлен по DMOS технологии, обеспечивающей стабильную работу, высокую скорость переключения и эффективность. Корпус TO-220F с изоляцией позволяет монтаж без дополнительных изоляционных прокладок.
Характеристики:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | MOSFET транзистор |
| Канал | N-канальный |
| Модель | FQPF2N60C |
| Корпус | TO-220F |
| Максимальное напряжение стик-стик (Vds) | 600 В |
| Максимальный ток стока (Id) | 2 А |
| Импульсный ток | до 8 А |
| Мощность рассеивания | до 23 Вт |
| Напряжение затвор-стек (Vgs) | ±30 В |
| Сопротивление канала Rds(on) | ~3.6–4.7 Ом |
| Тип монтажу | выводной (THT) |
| Рабочая температура | до +150 °C |
Область применения:
Используется в импульсных блоках питания, схемах коррекции коэффициента мощности (PFC), электронных балластах, инвердрах, драйверах и других высоковольтных электронных устройствах.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 14,50 ₴


