IRF7319PBF P-ch + N-ch 30 В -4.9/6.5 А в корпусі SO8
- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: 08686
24,20 ₴
23,50 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
Транзистор IRF7319PBF P-канальний + N-канальний, 30V, 4.9/6.5A, SO-8
IRF7319PBF — це інтегрована мікросхема з двома польовими MOSFET-транзиссторами: P-канальний и N-канальний в одному корпусі SO-8. Вона розрахована на максимальну напругу 30 В, струм P-канала −4,9 А і струм N-канала 6,5 А, що робить її ідеальною для застосування в малопотужних DC-DC перетворювачах, керуванні навантаженнями та схемах захисту.
Наявність двох каналів в одному корпусі спрощує проєктування схем, скорочує займану площу на платі та підвищує надійність системи. Корпус SO-8 дає змогу використовувати компонент для автоматизованого поверхневого монтажу (SMD).
Технічні характеристики
| Параметри | Значення |
|---|---|
| Тип транзизора | P-канальний + N-канальний MOSFET |
| Максимальна напруга стік-висток (Vds) | 30 В |
| Максимальний струм P-каналу (Id) | −4,9 А |
| Максимальний струм N-каналу (Id) | 6,5 А |
| Опір відкритого каналу (Rds (on)) | P: ~0,055 Ом, N: ~0,025 |
| Тип корпусу | SO-8 (SMD) |
| Напруга затвора-висток (Vgs) | ±12 В |
| Робоча температура | −55…+150 °C |
Сфера застосування
-
малопотужні DC-DC перетворювачі та джерела живлення
-
схеми комутації та захисту навантаження
-
керування портативною й побутовою електронікою
-
малі моторні драйвери та силові ключі
-
компактні плати з поверхневим монтажем (SMD)
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STM |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Тип біполярного транзистора | P-N-P |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
- Ціна: 23,50 ₴