Транзистор FDD7N60NZ полевой N-канальный, 600V 7.4A, DPAK
Транзистор FDD7N60NZ — это высоковольтный силовой MOSFET с N-каналом, предназначенный для работы в схемах средней мощности. Он рассчитан на максимальное напряжение 600 В и ток до 7,4 А, что делает его оптимальным для применения в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах и промышленной электронике.
Благодаря низкому сопротивлению открытого канала (Rds(on) ≈ 0,75 Ом) транзистор обеспечивает эффективное управление нагрузкой с минимальными потерями энергии. Корпус DPAK позволяет компактно монтировать компонент на плате с возможностью хорошего теплоотвода.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | MOSFET |
| Канал | N-канальный |
| Максимальное напряжение сток–исток (Vds) | 600 В |
| Максимальный ток стока (Id) | 7,4 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | до 75 Вт |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20 В |
| Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | ~0,75 Ом |
| Тип корпуса | DPAK |
| Рабочая температура | −55…+150 °C |
Сфера применения
-
импульсные источники питания (SMPS)
-
инверторы и преобразователи высокой частоты
-
силовые ключи и управление нагрузками
-
промышленная электроника
-
бытовая электроника и драйверы
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 44,90 ₴


