Транзистор IHW20N120R3 — это современный силовой IGBT-транзистор с оптимизированными характеристиками переключения, предназначенный для работы в высоковольтных и высокоэффективных силовых устройствах. Он рассчитан на максимальное напряжение 1200 В и ток коллектора до 20 А, обеспечивая надежную и стабильную работу в тяжелых режимах.
Корпус TO-247 обеспечивает эффективный теплоотвод и удобство монтажа на радиатор. IHW20N120R3 широко применяется в промышленных инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах, солнечных инверторах и системах управления электродвигателями.
🔹 Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | IGBT |
| Модель | IHW20N120R3 |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (IC) | 20 А |
| Импульсный ток | до 60 А |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Встроенный диод | быстрый |
| Потери при переключении | низкие |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Сквозной (THT) |
| Рабочая температура | −55…+150 °C |
🔹 Область применения
-
силовые и солнечные инверторы
-
импульсные источники питания
-
сварочное оборудование
-
управление электродвигателями
-
промышленная силовая электроника
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
Информация для заказа
- Цена: 130,20 ₴


